Химическое осаждение (PECVD) графена

Оборудование:

Nanofab 1200

Технологические особенности:

• Реактор с двумя параллельными электродами либо реактор с источником индуктивно связанной плазмы;
• Температура процесса 1200 ^оС;
• Подложка - диэлектрическая или проводящая (Ni или Cu фольга) без или с катализатором;
• Прекурсор CH₄+H₂ или C₂H_2.

Фотография выращенного CVD методом графена с СЭМ (оранжевые стрелки указывают на неровности).	Спектры Рамана выращенного CVD методом графена.
Фотография выращенного CVD методом нанокристаллического графена с СЭМ. Подложка - SiO2 (без катализатора); Процесс с плазмой; Температура: 650°C или выше; Рабочий газ: CH4+H2.	Спектры Рамана нанокристаллического графена, термически выращенного на SiO2, сапфире и кварце.

Вертикально ориентированный графен, выращенный с использованием плазменного разряда.

• Рабочее давление: < 200 мТорр;
• Катализатор/подложка: Si, TiN/SiO₂/Si.

Фото вертикально ориентированного графена с просвечивающего электронного микроскопа (видны 4 слоя графена).