Реактивное ионное травление оксида индия, легированного оловом (ITO)
Фотографии СЭМ:
- ITO - глубина травления 100 нм;
- скорость травления: 80 нм/мин;
- равномерность: <3% (по 100 мм пластине);
- селективность к фоторезисту: 2.25:1;
- анизотропный профиль.
Фотографии СЭМ показывают протравленную на 125 нм структуру с ITO, наклон стенки 20°, фоторезист не удален.
Технология реактивного ионного травления:
- Скорость: 20 нм/мин;
- Равномерность: < 3.5% (по 100 мм пластине);
- Селективность к фоторезисту: 0.4;
- Для наклона стенки в 20°.