Травление InP. Сравнение способов

• ​рабочие газы: CH₄/H₂
• скорости травления: 50 - 100 нм/мин
• скорость выше при добавлении Cl химии
• маски: фоторезист или SiO₂
• аспектное соотношение > 5:1

• хлор содержащая плазма
• скорости травления: 50 нм/мин - 1.5 мкм/мин
• низкая энергия ионов => слабые повреждения подложки
• селективность к SiO₂: (10-25) : 1
• селективность к фоторезисту: > 500:1

• ​рабочие газы: CH₄/H₂ и Cl
• скорости травления: до 300 нм/мин
• регулируемый наклон стенки
• маска: фоторезист (SEM) или SiO₂
• процессы CAIBE или RIBE возможны с применением ВЧ источников

лаборатория OIPT
Анизотропное травление InP с применением ICP источника