Травление SiO2

Способы травления оксида кремния. Общие сведения.

Реактивное ионное травление (RIE)	Реактивное ионное травление с применением источника индуктивно связанной плазмы (ICP-RIE)	Реактивное травление ионным пучком, в том числе химически ассистированное (RIBE/CAIBE)
рабочие газы: HBr скорости травления: 10-300 нм/мин селективность к Si: (5-15):1 маски: фоторезист	рабочий газ: HBr скорости травления: > 0.5 мкм/мин возможно низкое смещение на подложке маска: фоторезист или металл	рабочие газы: Ar (через ВЧ источник), СxFy (через газораспределительное кольцо) скорости травления: 30-200 нм/мин регулируемый наклон стенки
лаборатория OIPT: сквозные отверстия глубиной 2 мкм с углом наклона удобным для металлизации	лаборатория OIPT: высокоскоростное травление глубиной 8 мкм для волноводов	Йенский университет им. Ф. Шиллера: Реактивное травление ионным пучком глубиной 250 нм

Реактивное ионное травление (RIE)

Реактивное ионное травление с применением источника индуктивно связанной плазмы (ICP-RIE)

Реактивное травление ионным пучком, в том числе химически ассистированное (RIBE/CAIBE)

лаборатория OIPT:
сквозные отверстия глубиной 2 мкм с углом наклона удобным для металлизации

лаборатория OIPT:
высокоскоростное травление глубиной 8 мкм для волноводов

Йенский университет им. Ф. Шиллера:
Реактивное травление ионным пучком глубиной 250 нм