/ Каталог / Микро- и нано-электроника / Плазмохимическое и физическое травление и осаждение / Технологические процессы / Процессы химического осаждения покрытий из газовой фазы / Процессы плазмохимического осаждения нитрида кремния (SiN)

Процессы плазмохимического осаждения нитрида кремния (SiN)

Сверхвысокоскоростное PECVD нитрида кремния

Осаждение SiN со скоростью 200 нм/мин

Химическое осаждение SiNx с контролем внутренних напряжений

Химическое осаждение SiN с использованием источника индуктивно-связанной плазмы (ICP-PECVD)

Конформное химическое осаждение SiN

Лаборатория OIPT: конформное осаждение SiN на контакты исток-затвор и исток-сток из GaAs

Химическое осаждение SiN без аммиака (NH3)

Низкотемпературное химическое осаждение SiN для lift off технологии

Химическое осаждение SiN для пассивации солнечных фотоэлементов