Процессы травления нитрида галия (GaN)
Травление GaN с применением ICP источника
Лаборатория OIPT: анизотропное травление структуры AlGaN/GaN до подложки из сапфира.
Травление AlGaN/GaN с применением ICP источника
Лаборатория OIPT: глубина травления 8 мкм.
Реактивное ионное травление (RIE) GaN
Лаборатория Технологического Университета Эйндховена: травление GaN на глубину 1 мкм.
Травление InGaN/GaN с применением ICP источника
Лаборатория OIPT: анизотропное травление InGaN/ GaN.
Атомно-слоевое травление (ICP, ALE) GaN для ВЧ микроэлектроники
«Мягкое», низкоскоростное травление AlGaN повышает шероховатость поверхности всего на 0,02 нм.
Реактивное ионное травление GaN с гладкими боковыми стенками
Лаборатория Infineon Munich, ZT KM 4: высокоанизотропное травления GaN на 2.5 мкм.
Вытравливание наностержней из GaN с применением ICP источника
Лаборатория University of Bath: высота наностержней из GaN 6 мкм при 60 С и при 150 С.